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第59期:平凡而充实的人生

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ltcn 发表于 2018-10-10 12:42:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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平凡而充实的人生

1993年,吴德馨(右一)向邹家华副总理(前中)和周光召院长(前左)汇报工作

1993年,吴德馨(右一)向邹家华副总理(前中)和周光召院长(前左)汇报工作
1993年,吴德馨(右一)向邹家华副总理(前中)和周光召院长(前左)汇报工作

  吴德馨是半导体器件和集成电路专家,人如其名,无论是担任领导职务还是作为普通的科研工作者,她的品德都为人所称赞。然而吴德馨院士却不仅仅是德馨,而是德艺双馨,这一点只需要翻看一下她那密密麻麻的成果记录和所获得的一个个奖励就不难发现。人无法决定生命的长度,但生命的质量全靠个人的努力。吴德馨院士无论在事业上还是做人上,都坚持以自己的努力去提高生命的质量。
  吴德馨1936年12月20日出生于乐亭县一个平民家庭。次年,举家迁徙至天津。早年丧父,在母亲的开明教育下,形成了善于独立思考、行为果敢的性格。6岁被送到天津一所教会学校上学,虽然聪颖过人但因为贪玩学习成绩不是很好,随着年龄增长、学习目的的明确,成绩逐渐好转,而且对数理化产生了浓厚的兴趣。高中毕业时以优异的成绩迈进了清华大学的校门。大学中曾两次获得学习成绩优良奖状。1961年毕业于清华大学无线电电子学系半导体专业,成为清华大学第一批半导体专业的毕业生,毕业后分配至中国科学院半导体研究所工作。1986年调入新成立的中国科学院电子研究与开发中心。现为中国科学院微电子研究所研究员,中国科学院院士。她曾任中国科学院微电子研究和开发中心主任,“七五”“ 八五”和“九五”国家重大科技攻关课题的负责人,攀登计划首席科学家,国家重大基础研究顾问专家组成员, 国家自然科学基金委员会委员等职务,曾当选为中国共产党第十四、十五届代表大会代表。曾任中国科学院第四届学部主席团成员。现任中国电子学会常务理事,半导体与集成技术分会主任,中国科学院微电子研究所学术委员会主任,全国人民代表大会第九届、第十届常务委员会委员和教科文卫专门委员会委员等职务。
  1998年至今,吴德馨院士研究成功0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管,研究具有高密度二维电子气的多层异质外延结构,低电阻率的T形栅结构、超深亚微米微细加工技术和高功函数的肖特基栅结构,截止频率达89GHZ。作为“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”项目的一个课题(共三个课题),于2003年获北京市科学技术一等奖。研究成功砷化镓/铟镓磷异质结双极型晶体管(HBT),截止频率达92GHZ;指导学生独到的设计了六边形发射极四周对准HBT结构。在国内首先研制成功全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gpbs光纤通信光发射驱动电路。在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无缘耦合。并研究成功工作速度达2.5Gpbs的光发射模块,提高了耦合的额格律。她还开展第三代化合物半导体氮化镓/铝镓氮异质结场效应晶体管的研究。研究异质材料结构特性和与金属界面问题;氮化镓肖特基接触等工艺。截止频率达19GHZ,电流达1.54安培。
  1990至1997年,作为主要负责人之一,吴德馨组织领导0.8微米CMOSLSI工艺技术研究,独立自主开发成功全套0.8微米CMOS工艺,并应用于实践电路的开发。于1998年获得中国科学院科技进步一等奖和1999年国家科技进步二等奖。
  作为国家攀登计划首席科学家负责“深亚微米结构器件及介观物理”项目研究,组织开展了12项课题的研究,为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础,总评为优秀。
  吴德馨1991年临危受命,担任中国科学院微电子中心主任。此时的微电子中心负债近两千万元,账面资金不足下月工资。她带领全所同志克服重重困难、大胆改革、努力创新、积极探索新的科研和开发领域,科研成果和产品开发效益不断增加,开创了微电子中心的新局面。
  在此期间,她赴美国与某公司的领导、工艺技术、测试与检验、质量控制、市场和律师等人员轮流进行谈判。她以机敏与智慧、娴熟的专业知识、流利的英语以及中国人的尊严,使对方折服。在竞争中获胜,签订了合作协议。回所领导开展了系列结型场效应器件的开发和生产并获得了成功,使生产线有了固定的高附加值产品,从而获得了转机。该项产品出口创汇已达400余万美元。
  她关心群众的疾苦,在困难的情况下解决广大科技人员住房问题,年轻人员的待遇等问题。在她60岁离任时,绝大多数的群众希望她继续留任。
  1975至1989年,吴德馨从事MOSLSI设计与工艺技术的研究,负责读出灵敏放大电路和缓冲器的电路和版图的设计。作为主要负责人从事N沟MOS 4K,16K和64K位动态随机存储器(DRAM)的工艺研究,首次在国内研究成功4K,16K位DRAM,用一年的时间赶上了国际上需要三年才能完成的工作。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺,独创了检测腐蚀接触孔质量的露点检测法。进行提高LSI成品率的研究,打破了我国大规模集成电路成品率长期低下的局面,并推广到上海器件五厂,为我国集成电路的工业生产奠定了基础。4K,16K位DRAM德玛的研究分别获1980和1981年中科院科技成果一等奖。研究成功1微米CMOS全套工艺与专用和半专用集成电路的开发。获得中国科学院科技进步二等奖。
  她主持了109厂引进的进口设备和安装调试、工艺和产品的开发,率领同志们进行了生产技术研究,为把我国自己的科研成果转化为批量产品树立了榜样,并于1988年通过了国家验收并走上了良性循环的道路,获得了1989年中国科学院科技进步二等奖。研究开发系列功率VDMOS器件,获得了1991年中国科学院科技进步二等奖。
  1962至1974年,吴德馨作为课题负责人承担了解放初期“十二年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”。 独立自主地解决了提高开关速度的关键问题,开关速度达到当时国际上同类产品水平,在109厂和上海器件五厂进行了推广,打破了西方国家对我国的封锁,为“两弹一星”中采用的计算机——109丙机提供器件基础,产生了重大的经济和社会效益。1964年获全国新产品一等奖。开发成功抗辐照的质隔离、金属化互连技术和双极型触发器电路以及结型场效应和双极型集成高阻抗运算放大电路,为国防提供了小批量样品。
  吴德馨院士从事微电子研究工作40年,是我国早期研究微电子学的开拓者之一。她热爱祖国,事业心强,学风正派,富有首创精神,善于解决复杂工艺中的实际技术问题。她科研作风严谨,分析问题深入,尤其难能可贵的是无论担任什么职务,均能始终如一的深入第一线参加和指导研究工作,深得同志们的钦佩。她多次参加国家和中国科学院发展规划的制定和主持执笔两院院士对国家集成电路发展咨询报告的撰写等,多次获得国家、中国科学院和北京市科技进步奖。1992年她被评为全国三八红旗手、“九五”国家重大科技攻关先进个人、1997年荣获中国科学院优秀领导集体奖等多项奖励。
  (来源:《中国科学院院士画册》)  


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